美光第四代3D NAND芯片出样 有望2020年商用

来源:http://www.chinese-glasses.com 作者:编程 人气:101 发布时间:2020-04-16
摘要:日前,美光宣布第一批第四代3D NAND存储芯片流片已经出样,全新的第四代3DNAND基于美光的RG架构,预计2020年美光第四代3D NAND闪存将开始商用。 同时,美光警告称,使用新架构的存储芯

日前,美光宣布第一批第四代3D NAND存储芯片流片已经出样,全新的第四代3D NAND基于美光的RG架构,预计2020年美光第四代3D NAND闪存将开始商用。

同时,美光警告称,使用新架构的存储芯片将仅用于特定应用,因此明年其3D NAND成本削减将微乎其微。

美光第四代3D NAND使用多达128个有源层,并在阵列设计方法上继续使用CMOS。新型3D NAND存储器改变了用于栅替换的浮栅技术,以试图降低尺寸和成本,同时提高性能,并简化向下一代节点的过渡。该技术完全由美光公司开发,没有英特尔任何投入,因此它很可能是针对美光公司最希望针对的应用量身定制。

美光表示,在其后续RG工艺节点广泛部署之后,到2021财年将真正开始降低成本。

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