SK海力士宣布开发第三代1Znm内存芯片 年内完成批

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摘要:10月21日,SK海力士今天宣布开发适用第三代1Z纳米DDR4DRAM,据称,这款芯片实现了单一芯片标准内业界最大容量的16Gb,在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的DRAM内最大。 问:SK hynix计

10月21日,SK海力士今天宣布开发适用第三代1Z纳米DDR4 DRAM,据称,这款芯片实现了单一芯片标准内业界最大容量的16Gb,在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的DRAM内最大。

问:SK hynix计划何时量产1Znm 16Gb DDR4内存颗粒?它有哪些优势?

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图片来自SK海力士官网

10月21日,SK海力士宣布开发适用第三代1Z纳米DDR4动态随机存储器(DRAM)。SK海力士称,这款芯片实现了单一芯片标准内业界最大容量的16Gb,在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的DRAM内最大。

与上一代1Y产品相比,该产品的生产率提高了约27%,由于可以在不适用超高价的EUV曝光工艺的情况下进行生产,其在成本上具有竞争优势。

此外,与上一代1Y纳米产品相比,其产能提升约27%,因其无需昂贵的极紫外(EUV)光刻加持,因此更具成本竞争优势。

新款1Z纳米DRAM支持高达3200 Mbps的数据传输速率,据称是DDR4规格内最高速度。在功耗方面,与基于第二代8Gb产品的相同容量模组相比,功耗降低约40%。

新款1Z纳米DRAM支持高达3200 Mbps的数据传输速率,据称是DDR4规格内最高速度。在功耗方面,与基于第二代8Gb产品的相同容量模组相比,功耗降低约40%。

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